型号:DMG6602SVT-7 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | 描述:MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.4A,2.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 60 毫欧 @ 3.1A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 13nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 400pF @ 15V |
功率_最大 | 1.12W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | TSOT-23-6 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部 | 许小姐0755-83209630 82519391 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
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深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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